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本专利针对高光泽度抛光砖边缘存在暗边、光度低、防污差的问题，创新性地将磨边工序后置至第一次防污工艺后，通过洁亮工序（二氧化硅溶胶填充孔洞）和两次分阶段防污处理（临时保护+永久防护），彻底消除暗边缺陷，显著提升产品光泽度与防污性能。
【专利摘要】本发明公开一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括：抛光—水洗—风干—洁亮—第一次防污—磨边—水洗—风干—对色、分级—第二次防污—包装。其中，所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内；所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护；所述第二次防污是指在砖体表面涂布防污液形成永久保护。与现有技术相比，本发明将磨边工序放在第一次防污工艺，即使在瓷砖边缘存在暗边区，但通过后续的磨边工序也可将暗边区完全磨去，从根本上解决了高光泽度抛光砖的边沿光度低、防污差的问题，使高光泽度抛光砖的产品性能得到极大提升。
[0001]本发明涉及建筑陶瓷【技术领域】，尤其涉及一种抛光砖抛釉砖加工工艺。
[0002]在抛光砖的制备过程中，当砖体被抛光后其表面层布满毛细孔，这些毛细孔容易填充、吸附其他固体颗粒、液体、胶体等，从而造成污染。为提高抛光砖的抗污性能，需在砖体表面层涂覆防污液。
[0003]如图1所示，传统的抛光砖制备工艺主要包括以下流程:粗抛、中抛一精抛一磨边一水洗一风干一洁亮一对色、分级一防污一包装。在传统工艺中，磨边之后，砖体的尺寸就被定型，受洁亮和防污工艺本身的局限性，在砖体边缘往往存在暗边，光度低，防污效果差的缺陷，以及崩角、烂边造成少量废品。对于一些光泽度要求不高(75° -85° )的抛光砖而言，这种缺陷带来的影响并不是很明显；而对于一些高光泽度(95° -100° )的抛光砖抛釉砖而言，这种缺陷是不允许的。尤其当相邻地砖拼合在一起使用一段时间后，黑边面积翻倍而变得更加凸显，难以满足客户对高档地砖所提出的要求。
[0004]针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种无暗边，抛光砖边缘防污效果凸出的抛光砖抛 釉砖加工工艺。
[0006]一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括:抛光一7jC洗一风干一洁亮一第一次防污一磨边一水洗一风干一对色、分级一第二次防污一包装；其中，
[0007]所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内，形成光滑的镜面；
[0008]所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护；
[0010]作为上述方案的一种改进，所述二氧化硅溶胶利用正硅酸乙酯，乙醇，去离子水和催化剂经复杂反应制成；也可用金属硅直接水合生成。
[0011]作为上述方案的一种改进，所述二氧化娃溶胶的固含量为5-30%。
[0012]作为上述方案的一种改进，第一次防污时防污液的涂布量不超过抛光砖对防污液吸收总量的80%，第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100%。
[0013]作为上述方案的一种改进，所述防污液由两种能发生聚合反应的有机硅油混合而成，其中一种有机硅油为含氢硅油，另一种有机硅油为烷基改性硅油，聚醚改性硅油，环氧改性硅油,羟基改性硅油中的一种。
[0014]作为上述方案的一种改进，所述防污液为溶剂型防污液，该溶剂型防污液按重量份计包括以下原料:
[0020]作为上述方案的一种改进，所述洁亮工序是通过多组加压磨盘连续抛磨来实现的，所述加压磨盘的工作压力为1-5公斤力/平方厘米，每块抛光砖经过加压磨盘的数量为3-40 组。
[0021]与现有技术相比，本发明提供的一种抛光砖抛釉砖加工工艺具有以下有益效果:
[0022]一、将磨边工序放在第一次防污工艺之后，抛光砖边缘区即暗边区通过后续的磨边工序可完全磨去，从根本上解决了高光泽度抛光砖的边缘光度低、防污差的问题，使高光必博官方网站泽度抛光砖的产品性能得到极大提升。
[0023]二、由于第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100%，有效避免因防污的涂布而带来色差问题。
[0026]为方便本领域普通技术人员更好地理解本发明的实质，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细阐述。
[0029]I)粗、中抛，利用粗抛设备对瓷砖粗坯进行抛磨，去除瓷砖粗坯上的较大凸起，使砖体表面尽量平整。
[0030]2)精抛，利用精抛机对瓷砖粗坯继续抛磨，使瓷砖表面的光度达到25° -55°。在精抛之前进行粗、中抛的好处是，不仅减少精抛机的磨损，而且尽量节约了抛光时间尤其是精抛时间。
[0032]4)风干，将水洗后的瓷砖防止在阴凉通风处，让残留的水溃自然挥发。
[0033]5)洁亮，在瓷砖表面涂布一层的二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在瓷砖面层的孔洞内。具体进行洁亮时，将瓷砖依次通过多组加压磨盘，在每组加压磨盘上添加适量的二氧化硅溶胶，利用加压磨盘的连续抛磨实现瓷砖的洁亮。本实施例中，优选加压磨盘的工作压力约为3公斤力/平方厘米，每块瓷砖经过加压磨盘的数量为30组。其他实施方式中，加压磨盘的工作压力在1-5公斤力/平方厘米内调整，加压磨盘的数量在10-40组内调整,不限于本实施例。
[0034]6)第一次防污，在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护。防污液的涂布量为抛光砖对防污液吸收总量的80%。
[0035]7)磨边，利用磨边机去除瓷砖边缘部分形成平整边面，并使瓷砖符合既定的尺寸标注。
[0037]9)风干，将水洗后的瓷砖防止在阴凉通风处，让残留的水溃自然挥发。
[0038]10)对色、分级，将制得的瓷砖与既定的标准进行对比，进行分级。
[0039]11)第二次防污，在砖体表面涂布防污液形成永久保护。第二次防污时，防污液的涂布量为抛光砖能吸收的剩余量。为避免防污的涂布导致抛光砖出现色差，第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100%。
[0041]其中，所述二氧化硅溶胶利用正硅酸乙酯，乙醇，去离子水和催化剂反应制配而成。本实施例中，二氧化硅溶胶的固含量优选为15%。在其他实施方式中，二氧化硅溶胶的固含量在5-30%中自由选择,不限于本实施例。
[0042]所述防污液由两种能发生聚合反应的有机硅油混合而成，其中一种有机硅油为含氢硅油，另一种有机硅油为烷基改性硅油。在其他实施方式中，所述烷基改性硅油用聚醚改性硅油，环氧改性硅油，氨基改性硅油，羟基改性硅油中的一种替代。
[0043]本实施例提供的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，由于在磨边之前进行了洁亮和第一次防污工艺，虽然经第一防污工序后，在瓷砖边缘区存在暗边、光度低、防污效果差的缺陷，但通过后续的磨边工序将暗边区完全磨去,从根本上解决了高光泽度抛光砖的暗边问题，使高光泽度抛光砖的产品性能得到极大提升。实施例二
[0044]一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括:抛光一7jC洗一风干一洁亮一第一次防污一磨边一水洗一风干一对色、分级一第二次防污一包装。
[0045]其中，所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内。所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护。所述第二次防污是指在砖体表面涂布防污液形成永久保护。
[0046]本实施例提供的抛光砖抛釉砖制造工艺与实施例一基本一致，区别在于:
[0048]二、所述防污液为溶剂型防污液，该溶剂型防污液按重量份计包括以下原料:
[0055]以上【具体实施方式】对本发明的实质进行了详细说明，但并不能以此来对本发明的保护范围进行限制。但凡依照本发明之实质，所做的简单改进、修饰或等效变换，都落在本发明的权利要求保护范围之内。
1.一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括:抛光一水洗一风干一洁亮一第一次防污一磨边一水洗一风干一对色、分级一第二次防污一包装；其中，所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内，形成光滑的镜面；所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护；所述第二次防污是指在砖体表面涂布防污液形成永久保护。
2.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，所述二氧化硅溶胶利用正硅酸乙酯，乙醇，去离子水和催化剂反应制备而成。
3.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，所述二氧化硅溶胶的固含量为5-30%。
4.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，第一次防污时防污液的涂布量不超过抛光砖对防污液吸收总量的80%，第一次防污与第二次防污所用防污液总量不超过抛光砖对防污液吸收总量的100%。
5.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，所述防污液由两种能发生聚合反应的有机硅油混合而成，其中一种有机硅油为含氢硅油，另一种有机硅油为烷基改性硅油，聚醚改性硅油，环氧改性硅油，羟基改性硅油中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，所述防污液为溶剂型防污液，该溶剂型防污液按重量份计包括以下原料:含氢硅油，15-20份； 氨基硅烷，0.5-2.5份；120号溶剂汽油，100份；200号溶剂汽油或溶剂汽油D-40，0-4份；氨基硅油，3-5份。
7.根据权利要求1所述的一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，所述洁亮工序是通过多组加压磨盘连续抛磨来实现的，所述加压磨盘的工作压力为1-5公斤力/平方厘米，每块抛光砖经过加压磨盘的数量为3-40组。
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